Журнал технической физики, 4(52), p. 480
DOI: 10.21883/ftp.2018.04.45829.18
MAIK Nauka/Interperiodica, Semiconductors, 4(52), p. 511-513
DOI: 10.1134/s1063782618040243
Export citation
Search in Google Scholar
Full text: Download