Grafeen, één atoom dik koolstofmateriaal, werd in het afgelopen decennium één van de meest veelbelovende materialen voor toekomstige elektronische apparaten. Grafeen heeft ook groot potentieel getoond voor spintronische toepassingen, waarbij het intrinsieke hoekmoment van het elektron (spin) wordt gebruikt om informatie te dragen. In dit proefschrift tonen we de spin transport eigenschappen van grafeen spin valves voor verschillende kanaal geometrieën en elektronische kwaliteit. Voor een klein grafeen kanaal laten we zien dat kwantum interferentie kan voorkomen en dat het spin signaal gemoduleerd kan worden met een aangelegde poortspanning. Verder laten we zien dat hangend grafeen, lijkend op een hangmat, de spin transport eigenschappen kan verbeteren. Deze eigenschappen kunnen verder worden verbeterd door het inkapselen van grafeen met boornitride, waarbij ook de spin gegevens via een dwars elektrisch veld kunnen worden gecontroleerd. Graphene, a one atom thick carbon material, emerged in the past decade to be one of the most promising materials for future electronic devices. Graphene has also shown great potential for spintronic applications, where the intrisinc angular momentum of the electron (spin) is used to carry information. In this thesis we studied the spin transport properties in graphene based spin valves for different channel geometries and electronic quality. We show here that, when the graphene channel is small, quantum interference effects can take place and can cause a modulation on the spin signal due to an applied gate voltage. Furthermore, we show that suspending the graphene flake, like a hammock, can improve the spin transport properties. These properties can be further improved by encapsulating the graphene flake with Boron Nitride, which also allows us to control the spin information using a transverse electric field.