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Wiley, Angewandte Chemie, 52(125), p. 14487-14491, 2013

DOI: 10.1002/ange.201305001

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Das Wachstum von Nickelclustern an Graphen‐Fehlstellen: eine theoretische Studie

Journal article published in 2013 by Wang Gao, Jonathan E. Mueller, Josef Anton, Qing Jiang, Timo Jacob
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Abstract

Defekt mit Vorteilen: Nickelcluster auf verschiedenen Graphensubstraten wurde mit DFT‐Rechnungen untersucht. Es zeigt sich, dass Leerstellen die Morphologie der Ni‐Nanopartikel bestimmen und die katalytische Aktivität größerer Cluster (Nin mit 5≤n≤10) erhöhen. Kleinere Cluster (n Keywords: Carbide; DFT‐Rechnungen; Graphenleerstellen; Halbleiter; Nanopartikel Document Type: Research Article DOI: http://dx.doi.org/10.1002/ange.201305001 Affiliations: 1: Institut für Elektrochemie, Universität Ulm, 89081 Ulm (Deutschland) 2: School of Materials Science and Engineering, Jilin University, 130022, Changchun (China) Publication date: December 23, 2013 $(document).ready(function() { var shortdescription = $(".originaldescription").text().replace(/\\&/g, '&').replace(/\\, '<').replace(/\\>/g, '>').replace(/\\t/g, ' ').replace(/\\n/g, ''); if (shortdescription.length > 350){ shortdescription = "" + shortdescription.substring(0,250) + "... more"; } $(".descriptionitem").prepend(shortdescription); $(".shortdescription a").click(function() { $(".shortdescription").hide(); $(".originaldescription").slideDown(); return false; }); }); Related content In this: publication By this: publisher By this author: Gao, Wang ; Mueller, Jonathan E. ; Anton, Josef ; Jiang, Qing ; Jacob, Timo GA_googleFillSlot("Horizontal_banner_bottom");