Un phototransistor SiGe/Si de 10x10μm2 est intégré dans une technologie bipolaire 80GHz de Telefunken GmbH. L’effet du substrat est analysé pour la première fois en appliquant une technique de microscopie optique champ proche (SNOM) optique-microonde. Le substrat présente une responsivité de 0,307A/W. Le phototransistor possède une fréquence de coupure à 3dB de 400MHz et un fTopt supérieure à 4GHz.