En dépit de modèles aussi nombreux que variés, le mécanisme de formation des barrières Schottky semble mal compris. Pour élucider ce problème dans le cas de semiconducteurs covalents, nous présentons des calculs théoriques self consistents pour des jonctions abruptes Si-Ag, C-Ag e t Si-H-Ag. Nos résultats sont en bon accord avec les données expérimentales disponibles et montrent que le niveau de Fermi à l'interface est fixé par la densité d'états qui apparaît dans la bande interdite du semiconducteur par suite de l'interaction entre les états de surface à la surface libre du semiconducteur et du métal. Ce processus explique, pourquoi, dans les semiconducteurs covalents, le niveau de Fermi à la jonction coïncide presque avec celui de la surface libre. In spite of many different models there seems to be a general lack of understanding about the mechanism of Schottky barrier formation. In order to elucidate this mechanism for covalent semiconductors, we present theoretical selfconsistent calculations for abrupt Si-Ag, C-Ag and Si-H-Ag junctions. Our results are in good agreement with the available experimental evidence, and show that the interface Fermi level is controlled by a density of states that appears in the semiconductor gap as a result of the interaction between the surface states at the free semiconductor surface and the metal. This process explains why in covalent semiconductors the Fermi level for the junction almost coincides with the Fermi level at the free surface.