AbstractDie Langzeitstabilität des optisch transparenten p‐Typ‐Halbleiters Kupferiodid ist eine aktuelle Herausforderung, da die elektrische Leitfähigkeit von CuI‐Dünnfilmen empfindlich auf Umgebungseinflüsse reagiert. Deckschichten aus Aluminiumoxid erhöhen die Stabilität beträchtlich. Systematische Untersuchungen von Al₂O₃/CuI‐Heterostrukturen in Abhängigkeit der N₂‐ oder O₂‐Partialdrücke bei der Oxid‐Abscheidung zeigen, dass die elektrische Leitfähigkeit der CuI‐Filme durch die Sauerstoff‐Diffusion in Al₂O₃ und CuI bestimmt wird. Sauerstoff scheint somit als dominierender Akzeptor in CuI zu wirken. Die Diffusion des Umgebungs‐Sauerstoffs in CuI wurde mittels des ¹⁸O‐Isotopes verfolgt.